两个1平方的金属板,相聚几毫米,分布电容大概是?
如题,大金属导体之间分布电容怎么计算或测量呢?用电桥测一下电容可以吗? 计算的话可以参考郑军奇《电子产品EMC设计风险评估》里面相关方法,只能估算,涉及到各种因素,很难算准。 计算的话可以参考郑军奇《电子产品EMC设计风险评估》里面相关方法,只能估算,涉及到各种因素,很难算准。桃花岛主 发表于 2012-11-18 14:21 http://bbs.emcbest.com/images/common/back.gif
恩,我有那本书,我在想EUT置于金属屏蔽箱,EUT外壳也是金属,彼此绝缘安装,那么彼此分布电容是多大 用电桥或者万用表测一下就知道了,算起来麻烦。 回复 5# 火星人
EUT外壳距离屏蔽箱几毫米的绝缘垫,外壳与屏蔽箱之间测得电容是140PF左右,因为两者体积较大。EUT外壳接电源负极,若与屏蔽箱不绝缘安装,设备接地测试,传导就超标,所以肯定是设备外壳因为是负极的原因,所以把干扰导入LISN了。设备外壳与屏蔽箱之间越近,分布电容越大,是不是遏制外壳的辐射越好呢,呵呵 耦合电容会使传导高频变差。 像你这样肯定是耦合电容越小越好,搞几个绝缘的支柱支起来比较好。 像你这样肯定是耦合电容越小越好,搞几个绝缘的支柱支起来比较好。
火星人 发表于 2012-11-19 16:03 http://bbs.emcbest.com/images/common/back.gif
嗯嗯,因为外壳是负极,所以我知道设备外壳跟外面的大屏蔽箱之间是有绝缘安装垫起来的,不垫起来,都直接接参考接地平板,传导肯定过不去。现在分布电容一百多皮法,传导能过的,我倒是想这个分布电容大点,因为设备外壳通过这个电容接地,可以遏制设备外壳的辐射。因为屏蔽箱有必须泄露的窟窿,所以希望里面的设备外壳辐射小点,所以希望设备外壳对屏蔽箱的分布电容大点,太大传导又超标了,呵呵
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