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标题: 整流电路产生的电磁干扰 [打印本页]

作者: esd712 时间: 2013-10-31 16:15
标题: 整流电路产生的电磁干扰
　　整流电路中，在输出整流二极管截止时有一个反向电流，它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。其中，能将反向电流迅速恢复到零的二极管称为硬恢复特性二极管，这种二极管在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强的高频干扰，其频率可达几十MHz。高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于PN结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化（di/dt）。

作者: mic29 时间: 2013-11-1 09:32
開關電源一直是EMC的重要部分，CE的11項測試中只有ESD、RS、PFMF三項與開關電源的優劣無直接相關

但懂開關電源的EMC工程師卻不多

作者: xyd82 时间: 2013-11-1 16:49

mic29 发表于 2013-11-1 09:32
開關電源一直是EMC的重要部分，CE的11項測試中只有ESD、RS、PFMF三項與開關電源的優劣無直接相關

但懂開 ...

请问mic前辈，整流桥上的二极体产生的EMI严重吗？，我以前想从这块进行整改，例如换慢恢复二极体或者进行滤波等。
但是总工说，开关电源的EMI主要来自IGBT或者MOS.

作者: waltektony 时间: 2013-11-2 00:15
开关电源的EMI之所很严重，和开关电源的工作原理有很大关系。
如传导测试，我们经常看到波形就是以开关电源的工作频率的倍频的一个个尖峰。
这些尖峰因为是窄带的干扰，能量很扎实，如果处理不好，将会对30M后面的辐射测试有很大影响，
开关电源的整改，一般从几个方面着手：首先就是要加吸收回路，以及对变压初次级进行屏蔽，降低漏磁。
还有就是对mos加电容吸收部分干扰，还有就是调整mos管的驱动电阻的大小，一般不建议对mos处理，因为会降低mos的工作效率，还有就是炸机（mos厂家对EMI测试结果有很大影响）。
然后就是调整X电容及共模电感参数了。如果是帮客户整改的，优先考虑这步。一般0.1uF配合10mH电感就基本能满足一般的开关电源过传导了。
输出整流二极管位置，通常我们都是通过在二极管是管脚穿一个磁珠来减小干扰。

作者: mic29 时间: 2013-11-5 09:41

xyd82 发表于 2013-11-1 16:49
请问mic前辈，整流桥上的二极体产生的EMI严重吗？，我以前想从这块进行整改，例如换慢恢复二极体或者进行 ...

由以下的理由我認為整流橋不會是EMI的SOURCE
1. 整流橋開關瞬間的dv只有約0.7V, 所以其dv/dt相較於後端電路必定很小
2. 開關電源一般輸入端是高壓（也就是低流），而後端電路是低壓（也就是高流），所以整流橋的di/dt也小於後端電路
3. 整流橋的工作頻率是50/60HZ，相較於一般開關電路的工作頻率約數十KHZ，慢了千倍

但不可否認有些時候在整流橋上串磁珠可將低EMI，原因不是因為整流橋是雜訊源，而是因為雜訊必經之路的阻抗提高了，所以雜訊受到抑制

貴司總工是對的，但並不完全
waltektony 補充到80分了
其他就看臨場經驗

作者: wzg008 时间: 2013-11-5 09:53

waltektony 发表于 2013-11-2 00:15
开关电源的EMI之所很严重，和开关电源的工作原理有很大关系。
如传导测试，我们经常看到波形就是以开关电 ...

正解！

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