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标题: mos管 [打印本页]

作者: zj1028121713 时间: 2013-11-19 11:13
标题: mos管
mos管的占空比，频率对辐射的影响？

作者: 桃花岛主 时间: 2013-11-19 22:42
问题很不详细啊，不太明白你的意思。

作者: 阿飞小白 时间: 2013-11-19 23:56
你应该说的是DC输出端的两个MOS管吧。如果是这个以前讲电源部分的帖子里面有。

作者: zj1028121713 时间: 2013-11-20 11:35

桃花岛主发表于 2013-11-19 22:42
问题很不详细啊，不太明白你的意思。

我的问题是，负载增加的时候，电源处的MOS管的占空比，开关频率怎么样的变化，这样的变化会引起什么样的电磁干扰

作者: owen11 时间: 2013-11-20 11:42
开关频率越小，EMC问题越小。

作者: mic29 时间: 2013-11-20 13:15
MOS管的占空比與開關頻率理論上與EMC無關，而是開關信號引起的di/dt與dv/dt與EMC有關係，但實際又不能如此簡單地以一語帶過

占空比50％時，理論上無耦次諧波，EMI出問題的機率就少了一半，這時就和EMC有關係了

開關頻率高低與EMC也無直接關係，也就是說不一定開關頻率低時，EMC就一定比開關頻率高的好
但是開關頻率高的信號波長比較短，相較於較低開關頻率的長波長也就更容易找到較理想的天線發射，所以在實際上EMC也就較差

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