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标题: EN62684标准的由来 [打印本页]

作者: samfong 时间: 2013-12-4 14:15
标题: EN62684标准的由来
EN62684标准的由来
1，电容式触屏已广泛普及，但它容易被产品的杂讯（噪声）干扰而产生
错误或虚假的反应动作。
2杂讯（噪声）來源于产品内部的DC/ DC转换器（转换器）子系统及显示
驱动器。
3，无論是处理显示屏，充电器，天线或其他來源的杂讯（噪声），触屏
IC都必须做到客户使用流畅无干扰的水准要求。
今日的消费用户都希望使用多点触摸系统做精确功能操作，同时还能符
合环保的标准，要满足这些高难度的要求相当不容易。
随着多点触摸系统内部环境变化的快速改变，争夺触屏统治地位的大战
也正影响着新战场板块的变化。

当前手机越做越薄，要实现此一目标，就必须把电容式触屏感应器
（传感器/传感器）直接层压在显示屏上。要实现此一做法其挑战度极高
如天线及地负载...等的问题都须要克服。
今天的电容式触屏IC可在高达40V的峰对峰(Peak to Peak)的交流杂讯
（AC噪音）下检测出微微级的库倫之电容变化量。
因此当前USB界面充电器的杂讯（噪音）会通过电池充电器（Charge Pump
)将杂讯耦合至触屏感应器而产生不良影响：
降低电容式触屏的精确度及靈敏度
产生错误及虚假的触屏反应（如幽靈触摸反应）
而当前市场上大量的低成本USB界面充电器可能会为电容式触屏注入大
量的耦合杂讯，使手机或平板无法使用。

Ringing-Choke自激式充电回路
Ringing-Choke自激式充电回路是一种低成本的充电回路，没有微控制
器（微控制器），没有PWM控制，仅使用低成本的变压器及少量的
二极体及小容值的电容而形成一个宽带的杂讯（噪声）产生器，自1KHZ
到100KHZ的频带内产生≥40V峰对峰（(Peak to Peak)）的高电磁杂讯（噪声）
同时产生许多由自体振荡频率的谐波杂讯分散在宽频的频谱上。
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Fly-Back返驰式充电回路
传统的返驰式充电回路通常采用PWM回路，透过MOS开关切换的时间
周期控制來达成高效的切换式电源充电目的。而由于MOS切换开关在
吨及取货的时候产生的瞬间峰值电压与变压器的漏感会形成低频的巨大
共模杂讯，其峰对峰值可≥60V。
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EN62684标准
为解决此一现象，许多手机大厂聯手创立了EN62684与EN30148934V1.1.1
來规范限制由充电器所产生的过大的电磁杂讯。
下图为EN62684标准所要求的充电器杂讯限制值
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我们可以清楚的看到1KHZ到100KHZ的最大峰对峰值≤1V
50Hz到60Hz的区间内的交流峰对峰值最大杂讯≤95V
然而现下所有的USB充电器都无法达到此标准。

DC Output Common Mode Noise Limit of EN62684
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作者: karenpeng 时间: 2013-12-4 14:22

作者: 电磁小皮匠 时间: 2013-12-4 18:53

作者: courage 时间: 2013-12-5 09:23
USB充电器的电磁干扰如何测试呢？

作者: samfong 时间: 2013-12-5 10:52

courage 发表于 2013-12-5 09:23
USB充电器的电磁干扰如何测试呢？

一些示波器，频谱分析仪都可以测试波形，还有第三方机构，EMC测试实验室。从波形上就可以看到干扰问题

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