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标题: 220MHz左右辐射加多大容量的电容合适 [打印本页]

作者: jack1981520 时间: 2014-1-17 17:58
标题: 220MHz左右辐射加多大容量的电容合适
如图所示，在229MHz的时候辐射，超标，经过实验初步判断为MCU主频的影响（220MHz），降低主频后超标点同样会降低到主频附近，在VCC上加过电容，会有改善，但还是超标，是电容不对吗？配的电容为1000pf+22pf，超标3DB左右，比以前降低6DB左右，求赐教啊！

作者: walterP 时间: 2014-1-17 18:41
为什么用22pf这么小的电容，你们有很高的频率吗？
有了1000p，再加个0.1u试试？

作者: walterP 时间: 2014-1-17 18:45
注意一下滤波电容的位置，不能有绕过滤波电容的耦合路径

作者: jld326 时间: 2014-1-17 21:41
对，位置很重要，还有引线尽量短，封装也很重要，注意esl

作者: 桃花岛主 时间: 2014-1-17 23:04
0.1uf+1000pf试试怎么样，另注意MCU上的电源尽量每个都加电容。

作者: lsp25071050 时间: 2014-1-18 00:41
1.晶振外壳是否接地，没接则接地；
2.VCC串一个在超标点频率范围附近阻抗约600欧的磁珠。

作者: zhegexiayu 时间: 2014-1-18 15:20
芯片供电电源上每个管脚加一个0.001uf的贴片电容，电源管脚上适当还得加几个0.1uf的贴片电容，芯片下面的PCB的GND布局要合理，其他的就是通讯线不要交叉了

作者: mic29 时间: 2014-1-20 10:40
可能可以在VCC加電容完全解決，但必須是在問題只出現在VCC時

如果是CLOCK或其他地方也有問題，而且造成FAIL，就不能由VCC加電容解決
LZ有信心一定是VCC的問題嗎？

作者: jack1981520 时间: 2014-1-21 10:31

mic29 发表于 2014-1-20 10:40
可能可以在VCC加電容完全解決，但必須是在問題只出現在VCC時

如果是CLOCK或其他地方也有問題，而且造成F ...

没有完全的信心，公司仪器有限无法精确定位，只是在在VCC等电源上增加电容后情况得到了改善

作者: jack1981520 时间: 2014-1-21 10:32

zhegexiayu 发表于 2014-1-18 15:20
芯片供电电源上每个管脚加一个0.001uf的贴片电容，电源管脚上适当还得加几个0.1uf的贴片电容，芯片下面的PC ...

定型的东西，只能在上面进行改动

作者: jack1981520 时间: 2014-1-21 10:34

walterP 发表于 2014-1-17 18:41
为什么用22pf这么小的电容，你们有很高的频率吗？
有了1000p，再加个0.1u试试？

没有很高的，最高的就是主频的220M，其次就是133M了，其他都100M以下了

作者: walterP 时间: 2014-1-21 20:43

jack1981520 发表于 2014-1-21 10:34
没有很高的，最高的就是主频的220M，其次就是133M了，其他都100M以下了

那22pf的电容可以去掉，电源上不放心还可以串个磁珠，注意磁珠的直流阻抗。

作者: mic29 时间: 2014-1-22 10:11
想到一個超級無賴的作法

建議你不要降低主頻，反過來將主頻調高1-2MHZ（如果可以的話）, 如此限制值將由30DB變成37DB
也就是說你會以4DB PASS

真是無賴！
但，我喜歡！

作者: jack1981520 时间: 2014-1-22 11:00

mic29 发表于 2014-1-22 10:11
想到一個超級無賴的作法

建議你不要降低主頻，反過來將主頻調高1-2MHZ（如果可以的話）, 如此限制值將由 ...

大致明白了，调高后就是多几个DB的那条线了，就可以过了，确实是无赖的办法

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