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标题: 电容离芯片距离远的惨剧 [打印本页]

作者: xiezunling 时间: 2012-4-10 16:21
标题: 电容离芯片距离远的惨剧
前段时间设计一款产品，结构是S3C44B0+RAM,当时设计版的时候对去耦电容的认识不够，
造成产品经常出问题，从RAM读出的数据到cpu有错误，初期一直以为是电源问题，但始终解决
不好，后用示波器测量RAM芯片的VCC和GND的波形，发现纹波峰值是150mv!!!!
正常应低于50mv，而且测试的数据是在办公室测试得到的，这是才赶快把电容移到就近ram芯片
，再测试，纹波降到45mv，问题解决！希望跟同仁一个提醒，千万要注意去耦电容的位置。

作者: 桃花岛主 时间: 2012-4-10 22:26
回复 1# xiezunling

顶一下，总结下就能加深映像了；

IC管教通常有两种电容，一种是去耦电容，主要是IC开关动作时需要一个瞬态大电流，此时会产生一个地弹噪声，这个电容可以在IC开关动作时放电，减小电源变化率，从而减小地弹；
另一种是旁路电容，也就是旁路IC或外界对IC的干扰。

你这种情况应该是去耦的问题。

作者: yang123_123 时间: 2012-9-18 19:37
其实从控制阻抗的角度来理解可以把储能和去耦的概念统一起来！
还有就是好像还要考虑去耦电容的有效半径之一说法。。。

作者: jianyu0203 时间: 2012-9-30 07:12
请教化而为一，你说的“-0.1uF的贴片电容主要应用于15MHZ以下的滤波”怎么理解

作者: li-0165 时间: 2012-11-19 16:00
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作者: wangyuefive 时间: 2012-12-18 08:32
好贴！！结合一下PCB版万能模版，感觉就学习了！！

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