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标题: 防ESD中三极管比MOS管好的原因 [打印本页]

作者: 413312 时间: 2012-7-2 09:19
标题: 防ESD中三极管比MOS管好的原因
三极管是电流驱动元件，MOS管是电压驱动元件，MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U=Q/C, 结电容很小，一般PF级，只要GS之间感应了极小的电量，那么这个电压将是惊人的。而这个电压不能泄放（因为GS电阻极大）一般的击坏都是GS之间损坏。三极管是电流驱动设计，而且可以用分压电阻形成对地的泻流通路，如果不主动去驱动，静电电流是不可能意外驱动三极管的。

作者: fusion317 时间: 2012-7-5 23:14
原来还有这层意思，不过GS之间加稳压管的

作者: gwy0926 时间: 2012-7-19 14:45
MOS管，“摸死管”，呵呵，就是静电太容易打死了。

作者: mike 时间: 2012-7-20 13:56
哈哈，比喻得好

作者: kentaky 时间: 2012-9-11 23:47
回复 4# gwy0926

请问在操作中有么有办法保护GS极，比如先给他们放电？

作者: cheny 时间: 2012-10-8 14:40
学习学习

作者: jisuanji20 时间: 2012-12-3 10:23
一摸就死

果然形象！！
呵呵

作者: jisuanji20 时间: 2013-2-3 15:52
所以在MOS管GS之间加了保护二极管原来起到一部分ESD保护的作用

作者: mic29 时间: 2013-6-19 13:41
化二說的輸入端，是指G
fusion說GS間加穩壓管，這招學起來了，以前都是在G加電容對地，應該也有效，但MOS溫度會升高

一般IC到MOS G的線路是越短越好，1公分就夠了
所以如果這條線路感應到ESD，應該是線路過長引起，如果不能縮短，就加R、C、TVS吧！
但須注意MOS溫升，至於傳導與輻射應該也都會變好

作者: 无声悄然 时间: 2015-8-24 09:17
学习

作者: 蓦然回首 时间: 2015-9-11 16:30
学习了！

作者: liuwanlihao1 时间: 2015-11-12 09:25
学习了.............

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