电磁兼容工程师网

标题: EMI 3M场比10M场在低频要差？ [打印本页]

作者: gx542413760 时间: 2012-8-2 19:15
标题: EMI 3M场比10M场在低频要差？
我测试的型号在3M场在30MHz测试不是很好，10M场测试很好，差了5dB，有什么理论证明吗？
大家帮忙分析下呢

作者: 傻瓜的爱 时间: 2012-8-2 23:39
我也遇到过这个问题，是场地问题，当然不是每次都是。

作者: player5555 时间: 2012-8-3 08:42
是近场和远场的原因，30M的时候远近场临界线为波长比2排，约为1.6米，而3米的测量距离仅为3米，所以近场的影响会大点

作者: AAQQSS123321 时间: 2012-8-3 08:56
正常吧，以前听很资深的人说3m的低频就是比10m的高。

作者: haihun 时间: 2012-8-3 10:52
也没有那么绝对。没有特别的规律。

作者: rubbishman 时间: 2012-8-3 11:40
远场与近场的临界点，波长/（2*Pi），如果代入30MHz，临界点确实是1.6m，刚好处于近远场过渡区。

之前有看到一份资料，测距时（3m或10m）有些是从周期天线的中心，有些是从周期天线的尖端，不知道到底是怎么个计算方法？

作者: 桃花岛主 时间: 2012-8-4 14:56
回复 6# rubbishman

http://bbs.emcbest.com/viewthread.php?tid=2817&extra=&highlight=%CC%EC%CF%DF&page=1

作者: gx542413760 时间: 2012-8-6 19:05
信号在近场和远场有何衰减特性吗？之前看过资料场的分界为波长/2*3.14 ，但是不知如何运用

作者: courage 时间: 2012-8-7 09:10
严格的来说不是衰减，而是场强随距离变化，比如就像一盏灯的光一样。

欢迎光临电磁兼容工程师网 (http://bbs.emcmark.com/)