辐射问题源头是器件，但不是根本!

关于辐射骚扰的整改，有朋友常常诉苦，说我的MCU、DDR、晶体晶振辐射很强，是导致测试失败的罪魁祸首，如果这样想，只能说是只见树木不见森林。

怎么说，比如说器件辐射吧，MCU、DDR、晶振辐射出去，这还说的过去，晶体外壳都是金属的，屏蔽壳只有两个很小管脚孔，自身怎么能辐射出去导致测试失败呢，很明显，认为器件是罪魁祸首这种认识是错误的，只能说器件是导致辐射骚扰测试失败的源头，而不是罪魁祸首。

器件自身通常比较小，属于近场辐射，但是，我们在EMC测试中是远场测试，远场辐射就要靠天线，而且天线有尺寸要求，芯片的尺寸太小，根本形成不了远场天线，因而，自身的辐射也微不足道，之所以判断为芯片导致，是因为芯片自身的干扰耦合到了产品内部的导线，而这些导线形成了远场天线，比如晶体，自身金属外壳，不能辐射出去，但是，从晶体出来的导线会耦合晶体的噪声，形成远场天线辐射出去，从而导致测试失败。

其它器件也是一样的，是辐射源头，但不是罪魁祸首，之所以加屏蔽罩会有改善，不是屏蔽了芯片自身的辐射，而是减小了芯片自身辐射对其它可能形成远场天线的导体的耦合。

大家一定要走出这个误区。一般器件出来滤波等措施就是这个道理。

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搂主说的总体是对的，顶一下

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楼主说的蛮具体的，呵呵
我也来提炼一下，说到底EMC还是要看三要素，源头，路径，受害体。
源头的近场固然强大，要是没有路径耦合出去也是在远场抓不到点的，此所谓路径，个人理解为放大镜，全向天线的功率谱密度并不高，但是一旦被聚焦了，就像放大镜一样，把太阳光聚焦之后，竟然能烧燃纸张。所以方式看路径是一个很好的办法，因为不用减少源头的强度，又能解决EMC问题。
如果路径搞不定了，那只好回到源头了，有的时候腔体发生谐振了，这里个人理解为频谱聚集，一定要去破坏腔体的谐振特性了，可以参考波长限制方法来减少天线方向系数。

楼上说得不错，表现形式千变万化，但是万变不离其宗。