孕妇对电磁辐射的敏感性

随着通讯技术及电力工程的进一步发展，环境电磁辐射强度日益增高。在刚开始怀孕及整个妊娠过程中胎儿的电磁辐射暴露主要包括住宅及父母对极低频（0～300Hz）及射频（10MHz～300GHz）电磁场的暴露，包括母亲使用电脑家、用电器及使用手机时对胎儿的暴露。
  射频电磁场能够导致机体组织的温度升高，从而使机体的总热负荷增加；如果在怀孕期间发生过高热将导致胚胎死亡、流产、生长迟缓和发育缺陷。人流行病学研究表明如果母亲温度升高2°C超过24小时，那么发热将导致胎儿一系列的发育缺陷。具体地说，孕妇对电磁辐射的 诱发因素有：
  1 至3月为胚胎期，受到强电磁辐射可能造成肢体缺陷或畸形。
  4至5月胎儿形成期，受到电磁辐射可能引起智利不全，甚至造成痴呆。
  6至10月为胎儿形成期，受电磁辐射可能导致免疫功能低下，出生后体制弱，抵抗力差。