做EMC确实需要对这几个概念等搞清楚;
这样说吧,电磁干扰90%以上与共模有关,EMI问题主要由共模干扰引起,这个可以从EMS测试看出来,比如传导抗扰、静电、EFT、浪涌等都是共模的注入方式,当然EMI和EMS是互易的,不难看出,EMI主要由共模干扰引起,当然差模干扰对EMI也有共献,但不突出而已;
共模干扰主要有各种寄生参数引起,因为现在各种电路集成度和速率越来越高,各种寄生参数作用就越来越明显,此时,原理图只是一种理想化的模型,实际发生了什么,原理图中根本反应不出来,比如导线,高频时为电阻与电感串联,又比如电容,高频时为电阻、电容、电感的串联,另外又如导线间分布参数、导线对地等分布参数等等等等,正是因为这些个分布参数作用,使得信号回流流过不可预期的路径或由于寄生参数产生额外的压降,成为共模干扰产生的原因;而差模干扰主要由有用信号产生,这种干扰环路小因此产生的干扰有限;
可以说,共模干扰和差模干扰是干扰的本质,而共模辐射和差模辐射是干扰的现象,共模干扰包括共模辐射干扰和共模传导干扰,差模干扰也包括差模辐射干扰和差模传导干扰。从辐射干扰形成机理来说,包括差模辐射和共模辐射,差模辐射就是有用信号回路产生的辐射,而共模辐射,是由于寄生参数作用对地环路的辐射,在PCB上,现在因为多层板,根据微带线原理,回流在参考平面上,因此,差模辐射环路非常小,可以说差模辐射引起的差模干扰影响很小,而共模辐射,往往通过I/O电缆及参考接地平板,环路很大,可以说共模辐射引起的共模干扰很大;
共模干扰和差模干扰可以相互转化,一般共模转差模主要是不平衡电路,而差模转共模主要是寄生特性,另外共模的来源还有电磁场耦合、地电位波动等。 |