mac_du 发表于 2013-10-23 22:16
共模是应该放在中心抽头的!
不知道你的产品金属外壳,还是塑料外壳?
我以前塑料外壳的不家任何保护器件,单 ...
室外且金属外壳，等级要做到6KV，而且后级芯片抗干扰等级太差。
beiluo 发表于 2013-10-24 11:17
室外且金属外壳，等级要做到6KV，而且后级芯片抗干扰等级太差。
以前有类似产品被中国电信抽检,也遇到过这样的问题.
中心抽头加BS0060N-C,
在变压器与PHY之间靠近变压器侧加差模防护器件（当时好像是BV03C，记不清楚了），虽然是差分线，但是电路不可能做到完全对称，会有部分共模能量转化为差模，去损害PHY芯片。
mac_du 发表于 2013-10-24 11:51
以前有类似产品被中国电信抽检,也遇到过这样的问题.
中心抽头加BS0060N-C,
PHY芯片和变压器之间的差分对我们会并联TVS整列或单个TVS来抑制差模，目前测试实验表明中心抽头放TSS比放半导体器件，
耦合到次级（PHY端）的残余能量更低。
beiluo 发表于 2013-10-24 11:13
后级加整列TVS或者对地单个TVS没有改善。
中心抽头加TSS，有没有产品大量用过的经验啊？有没有返修问题 ...
我这边有过加TSS的案例
owen11 发表于 2013-10-24 17:11
我这边有过加TSS的案例
有没有批量出货，跟踪过返修数据吗？
beiluo 发表于 2013-10-24 11:13
后级加整列TVS或者对地单个TVS没有改善。
中心抽头加TSS，有没有产品大量用过的经验啊？有没有返修问题 ...
是后级的差分线并联TVS管，可以吸收残压。并不是让TVS管下地。。。
beiluo 发表于 2013-10-24 17:14
有没有批量出货，跟踪过返修数据吗？
这个我就没留意了，我这边只是提供方案，后续的问题到现在客户也没有回应，没有回应大概就是没有问题了吧。呵呵
owen11 发表于 2013-10-24 17:15
是后级的差分线并联TVS管，可以吸收残压。并不是让TVS管下地。。。
后级的TVS我们也是并在线线间，做差模防护。
采用防护效果“细”的半导体器件组合作为雷击防护是可行的；最后还须在以太网隔离变压器次级选用极低容值反应迅速的ESD防护器件作为“精密”防护。
POE技术应用于数据线上，又需考虑防雷器件的“误动作”，以及耦合器件在工作电流下的功耗和压降等因素。
楼主选取的BA301N、S30-A300XS型号标称直流击穿电压偏高，导致箝位电压过高，不利于后级的保护。
