关于IGBT的EMC问题

那这个电容应该并在什么位置呢？

这个电容可以放在：1. Y电容，电源输入口；
                           2. 正负母线对地的高压电容（这个对辐射效果甚好）。但是要选取合适的Y电容，一般是                       
                               Y1。

pinkwon 发表于 2013-12-24 17:30
请问EMS项目中比如ESD和EFT的脉冲波形分正负，其目的是否是以正向以及反向的回流路径来干扰敏感设备，或 ...

ESD的電壓高低直接對應可移動電子數量的多寡，原子中也只有電子可以移動。

因為移動的是帶負電壓的電子，所以負電壓測試是模擬電子由靜電槍移動到EUT所產生對EUT的影響
反之，正電壓測試是模擬電子由EUT移動到靜電槍所產生對EUT的影響


EFT的正負壓測試，交給論壇其他高手解釋

walterP 发表于 2013-12-17 18:29
di/dt反应的是电流的变化速率，在时域波形上表现就是斜率，对于时域上i的曲线，如果转化为频域，di/dt越大 ...

补充一下，决定辐射频谱不仅是Vce一阶斜率dv/dt,还有二阶d（dv/dt）/dt，即上升时间变化率。
在波特图上有三个拐点分别对应-20db/dec; -40dB/dec和-60db/dec,
fc1=fs (gate drive switching freq)
fc2=1/pi/tr
fc3=1/pi/tr'         (tr'即（dv/dt）曲线的上升时间)

只要你能合理的设计驱动，令Vge在上升拐点更加平滑，那么tr'就可以增加到接近0.5tr，把-60db/dec频域拐点降低，从而减小高频辐射。
更重要的是，如果增加tr'，可以用更小的tr取得更低的辐射，同时也降低了开关损耗。这本来是矛盾的，因为通常的设计无法控制tr',所以貌似开关越快
辐射越高。但是对于f>fc1频段，如果能令fc2>f,则有可能进一步降低辐射。