开关电源中MOS的D和S极并联一个电容对浪涌影响大不？

各位坛友好：

       最近测试开关电源发现一个问题，开关电源输入端加入了浪涌防护电路，测试可以通过8/20组合波雷击浪涌测试 6KV 10次没问题，在开关电源MOS的D和S极并联一个1nF电容后，浪涌防护等级大大降低，只能过2KV，这怎么分析？？
      客户说加入这个电容对EMC有作用，但是对浪涌的效果切刚好相反。各位坛友有遇到这种情况吗？？？？帮忙分析一下..........

开关电源的MOS是指PFC的MOS？反激电路的MOS？
理论上1nF的电容不会对MOS电压有影响，除非影响了控制部分。示波器测试下浪涌时候MOS DS的电感。
1）MOS的DS不建议直接并联电容，电容的放电会造成MOS损耗增加，可以并联RC，电阻可以选择10欧姆。也可以用RCD的吸收电路。
2）电容一般选择100pF~220怕F，减少损耗和MOS发热。
网上有一些介绍Snubber电路的，可以找来看下。

现在只能过多少等级了？

hayabasa 发表于 2015-9-8 21:17
现在只能过多少等级了？

2KV

上紧的发条 发表于 2015-9-8 23:45
开关电源的MOS是指PFC的MOS？反激电路的MOS？
理论上1nF的电容不会对MOS电压有影响，除非影响了控制部分。 ...

学习了，谢谢！

上紧的发条 发表于 2015-9-8 23:45
开关电源的MOS是指PFC的MOS？反激电路的MOS？
理论上1nF的电容不会对MOS电压有影响，除非影响了控制部分。 ...

谢谢这个兄弟，可否从浪涌的角度来分析？谢谢

liuwanlihao1 发表于 2015-9-10 09:17
谢谢这个兄弟，可否从浪涌的角度来分析？谢谢

MOS管损坏有电压损坏和电流损坏，比较下有无电容条件下MOS DS电压，确认下是否电压损坏。为了方便测试比对，可以做2kV浪涌来比较。如果是电压损坏再来分析电压损坏的原因。

上紧的发条 发表于 2015-9-12 21:18
MOS管损坏有电压损坏和电流损坏，比较下有无电容条件下MOS DS电压，确认下是否电压损坏。为了方便测试 ...

对，当时忘记测量DS两端的电压了！客户把板子带走了........... ，谢谢这位兄弟