EMC中静地的设计问题

看到了2份资料，谈到了接口静地的设计，讨论到滤波处理问题却出现了截然相反的说法：


第一张截图说明要将滤波器件摆放至静地区，保证静地的干净；第二张截图介绍了四种组态方式滤波器，其摆放位置差异会影响滤波效果（图9-5不管是EMI还是EMS效果最好，大家可以讨论讨论）。
那么到底哪种说法是正确的？还是我没理解好2张截图，其实2张截图观点都是正确？

ps；第一张截图来源于一篇论文，具体找不到名字了；第二张截图来源于《在真实世界中的EMI控制》（这本书非常好，推荐大家阅读）

个人认为第一张图与图9-5所要保护的对象或者功能是完全不同的。

第一张图说的是端口，希望外面进来的干扰bypass到地，避免进入机器或系统内部，干扰里面器件的工作；

图9-5要保护的是放大器或芯片，将电容或滤波电路放置越靠近被保护器件，效果越佳。

个人看法，欢迎拍装。

第一张图外部干扰如静电、浪涌通过I/o端口侵入，还没到达元器件区域就被旁路到设备的机壳上，

第一张截图如果将滤波器件全部放在静地区域的话没有第二张截图好；
第二张图将高阻的电感、磁珠跨分割处放置，将内部噪声地和静地在分割处隔离，内部噪声到不了静地，静地的也到不了内部GND这样最好；
第二张图我觉得都不是最好把，PI型滤波最好。

个人认为第一张图与图9-5所要保护的对象或者功能是完全不同的。

第一张图说的是端口，希望外面进来的干扰 ...
sarenbarci 发表于 2011-9-29 19:25

其实图9-5要保护的对象也是针对外部导线辐射，可以从图看到，对地平面进行完整分割，一方面提供高频回返路径，一方面提供低频回返路径。谨记的是：电流总是以闭环形式回流到源头。

第一张图外部干扰如静电、浪涌通过I/o端口侵入，还没到达元器件区域就被旁路到设备的机壳上，
zhuyeqing 发表于 2011-9-29 20:35

第一张图针对EMS确实有很好的效果，但是对于EMI呢，我们都知道，高频回返要尽量缩小环路面积，如果参考第二张图中的图9-5就可以很好保证内部干扰寻找到最低阻抗路径（接至数位地的电容），高频信号回流源头路径最短，这又跟第一张图全部静地滤波处理相矛盾

第一张截图如果将滤波器件全部放在静地区域的话没有第二张截图好；
第二张图将高阻的电感、磁珠跨分割处放 ...
孔今 发表于 2011-9-29 22:20

在真实世界中的EMI控制里，介绍静地与数字地悬接的磁珠主要是为了提供低频IO信号的回流，同时也阻止高频谐波信号。文章中还讲到了LC组态滤波器的区别，针对驱动器端到接口的干扰，分别采用并C串L和串L并C的滤波效果是不一样的，主要是很难保证外部导线辐射电阻肯定比C的大，所以往往串L并C的效果不是很理想（该种组态滤波器主要以L滤波为主），当然最全面的还是Pi型滤波，效果最完美。
附上《在真实世界中的ＥＭＩ控制》资料：

从电流闭环回路的方面理解，还是很好的解释了为什么9-5最好了

“针对驱动器端到接口的干扰，分别采用并C串L和串L并C的滤波效果是不一样的，主要是很难保证外部导线辐射电阻肯定比C的大，所以往往串L并C的效果不是很理想（该种组态滤波器主要以L滤波为主），当然最全面的还是Pi型滤波，效果最完美”——根据滤波原理，确实很难断定源和负载阻抗高低，所以PI型滤波最好不过了。

回复 8# kenji


    楼主能否详解下？驱动器端从EMI角度电流通过电容返回，那么静地区域了，从EMS的角度没电容返回，只能通过电感反射。