散热片耦合DDR时钟频率导致辐射超标

各位好：
        我有一个产品，散热片耦合芯片的工作频率，导致辐射测试失败。还请了解的朋友能指点！万分感谢！！

        产品结构大致如下。散热片是个矩形，中间冲压一个凹坑，贴在IC上散热，中间用导热垫片。
        

        DDR3时钟频率为702MHz，eMMC时钟频率为200MHz。

        测试数据如下：
        

散热片数据

        
        不加散热片，702M、1G都OK。但加散热片后，散热片耦合芯片的时钟频率并向外发射。1G应该是eMMC 200MHz的倍频。

        针对散热片做了如下整改：
        散热片不接地， ———————702M、1G 超标；
        散热片加2个导电泡棉接地，—-702M、1G 改善不大，仍超标。
        散热片加5个导电泡棉接地 , —-702M、1G 有改善，刚刚通过，裕量很小。实际出货也不可能加5个导电泡棉。

        所以，
        1、有没有更好的散热片接地方法？感觉导电泡棉接地效果不是很好。
        或者 2、有没有减弱散热片耦合的方法？散热片总归要靠近IC来散热的，这点可能不太好解决。
        或者 3、从源头上降低时钟能量。
                     ① 如何对eMMC CLK 200MHz滤波来降低1G谐波？ 串电阻我试过能降低能量，但仍超标，再加大电阻会不开机。
                     ② 如何降低DDR3 CLK 702MHz能量？

        还请了解的朋友给予指点，谢谢！

使用陶瓷散热片

11nan221 发表于 2016-5-14 18:32
使用陶瓷散热片

是的，使用陶瓷的是一种方法；另散热器绝对是要多点接地的，这个已经被无数案例验证了；

如果时钟是200M，一般要求保持5次谐波，否则会影响信号质量，所以，时钟加电阻可能出问题；我建议你先把IC的电源都并联个1000pF的电容验证下。

1：和硬件结构及FAE说明测试情况，确认是否一定要加散热片；
2：有问题不怕，保持沟通最重要，说不定人家还能提出更好的方案，

将导热脚垫加高三倍，减少耦合，另外可将芯片四周的导热片对地高度降低而减少辐射效率

陶瓷散热片，妙，不然就是增加散热片接地点机调整接地点位置

改变散热片结构降低天线效应，如上图所示有的像偶极子，发射效率较高，改成菊花型是有些叉指的发射可以相互抵消。

上次我们遇到过类似的案例，也是DDR时钟耦合到散热片出问题的，我们的DDR3时钟是500MHz，在三次谐波1500MHz和2G频点上超标3dB左右，也是散热片因为结构原因无法接地，后来是在CPU及南桥上面垫了两层导热片，将散热片跟IC的距离拉大，刚好过了标准，几乎没有余量。。。有时候让散热片多点接地不是太现实，特别是做主板模块比较小的时候~

小小工程师 发表于 2016-5-24 09:28
陶瓷散热片，妙，不然就是增加散热片接地点机调整接地点位置

没有接触过陶瓷散热片，想问下陶瓷散热片比起金属散热片价格会贵多少？成本也是需要考虑的