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散热片耦合DDR时钟频率导致辐射超标

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金老弟 发表于 2016-5-14 12:02:46 | 显示全部楼层 |阅读模式 打印 上一主题 下一主题
各位好:
        我有一个产品,散热片耦合芯片的工作频率,导致辐射测试失败。还请了解的朋友能指点!万分感谢!!

        产品结构大致如下。散热片是个矩形,中间冲压一个凹坑,贴在IC上散热,中间用导热垫片。
         散热片辐射.png

        DDR3时钟频率为702MHz,eMMC时钟频率为200MHz。

        测试数据如下:
        

散热片数据

散热片数据

        
        不加散热片,702M、1G都OK。但加散热片后,散热片耦合芯片的时钟频率并向外发射。1G应该是eMMC 200MHz的倍频。

        针对散热片做了如下整改:
        散热片不接地, ———————702M、1G 超标;
        散热片加2个导电泡棉接地,—-702M、1G 改善不大,仍超标。
        散热片加5个导电泡棉接地 , —-702M、1G 有改善,刚刚通过,裕量很小。实际出货也不可能加5个导电泡棉。

        所以,
        1、有没有更好的散热片接地方法?感觉导电泡棉接地效果不是很好。
        或者 2、有没有减弱散热片耦合的方法?散热片总归要靠近IC来散热的,这点可能不太好解决。
        或者 3、从源头上降低时钟能量。
                     ① 如何对eMMC CLK 200MHz滤波来降低1G谐波? 串电阻我试过能降低能量,但仍超标,再加大电阻会不开机。
                     ② 如何降低DDR3 CLK 702MHz能量?

        还请了解的朋友给予指点,谢谢!


精彩评论10

11nan221 发表于 2016-5-14 18:32:33 | 显示全部楼层
使用陶瓷散热片
桃花岛主 发表于 2016-5-14 22:10:32 | 显示全部楼层



是的,使用陶瓷的是一种方法;另散热器绝对是要多点接地的,这个已经被无数案例验证了;

如果时钟是200M,一般要求保持5次谐波,否则会影响信号质量,所以,时钟加电阻可能出问题;我建议你先把IC的电源都并联个1000pF的电容验证下。
manenru 发表于 2016-5-16 14:05:57 | 显示全部楼层
1:和硬件结构及FAE说明测试情况,确认是否一定要加散热片;
2:有问题不怕,保持沟通最重要,说不定人家还能提出更好的方案,
rarkii 发表于 2016-5-24 09:08:45 | 显示全部楼层
将导热脚垫加高三倍,减少耦合,另外可将芯片四周的导热片对地高度降低而减少辐射效率
小小工程师 发表于 2016-5-24 09:28:19 | 显示全部楼层
陶瓷散热片,妙,不然就是增加散热片接地点机调整接地点位置
maohongtao 发表于 2016-6-14 08:38:13 | 显示全部楼层
改变散热片结构降低天线效应,如上图所示有的像偶极子,发射效率较高,改成菊花型是有些叉指的发射可以相互抵消。
钟科 发表于 2016-9-7 21:24:10 | 显示全部楼层
上次我们遇到过类似的案例,也是DDR时钟耦合到散热片出问题的,我们的DDR3时钟是500MHz,在三次谐波1500MHz和2G频点上超标3dB左右,也是散热片因为结构原因无法接地,后来是在CPU及南桥上面垫了两层导热片,将散热片跟IC的距离拉大,刚好过了标准,几乎没有余量。。。有时候让散热片多点接地不是太现实,特别是做主板模块比较小的时候~
钟科 发表于 2016-9-7 21:26:11 | 显示全部楼层
小小工程师 发表于 2016-5-24 09:28
陶瓷散热片,妙,不然就是增加散热片接地点机调整接地点位置

没有接触过陶瓷散热片,想问下陶瓷散热片比起金属散热片价格会贵多少?成本也是需要考虑的
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