磁珠抑制磁場(而不是di/dt, 也就是說加磁珠後di/dt不變,但輻射磁場強度下降),而磁場由電流產生,也就是說只要在干擾電流迴路上加磁珠就會有效,所以即使將磁珠加在幾乎不產生di/dt與dv/dt的bridge diodes上也有效,這是第一個觀念。
一個EMC對策基本原則,對策元件越靠近干擾源越好,所以磁珠要加在MOS的D、S極、變壓器一次側輸出腳、IC輸出腳等位置,效果最好,這是第二個觀念。
傳說中,磁珠有屏蔽的作用,而這個作用可以拿來對付電場。
電場由電壓產生,所以磁珠要加在dv/dt最高的MOS D極或變壓器上,效果最好,這是第三個觀念。
MOS的G極上有IC 輸出的di/dt與dv/dt,所以加磁珠也有效,但只符合前述第一個觀念,而不符合第二個觀念,對於第三個觀念在這裡可以無視。
再考慮IC輸出的i 與v本就遠小於MOS D極上的i 與v,所以只要有做IC輸出端的阻抗匹配,IC輸出的di/dt與dv/dt本就遠小於MOS D極上的di/dt與dv/dt,所以應該不需要在G極上加磁珠。但此說法只為觀念溝通,仍須依實際測試結果而定,不必偏廢。 |