在磁珠的高频模型中是电感和电阻的并联形式,对于楼主的问题是这样,磁珠串在MOS管源极漏极或者栅极也好,主要是为了抑制在这些极脚上的高频成分,而磁珠的抑制高频成分是为了减少di/dt,这样就可以减少高频噪声。在磁珠的选择中有几个参数需要非常注意,一个是直流电阻,饱和电流,还有就是频率阻抗曲线上的阻抗。磁珠没有屏蔽的效果,对于暗室中的屏蔽材料是对于空间磁场的导磁和衰减的作用。假设按照楼上几位所说,磁珠有屏蔽效果的话,磁珠某一面的表面积那么小,能有多大的屏蔽效果?希望大家对屏蔽原理有清楚认识,EMC的理论其实非常重要,更多的就是电磁场电磁波理论,传输线理论,还有相关的材料和元器件基本知识,不知道的千万不要乱说,这样会对不知道的人有极大的误导。 |